El QM3058M (también identificado como QM3058M6 o M3058M) es un transistor MOSFET de canal N (N-Channel MOSFET) de 30V, diseñado para aplicaciones de conmutación rápida y gestión de potencia de alta eficiencia. Este componente utiliza tecnología Trench MOSFET de alta densidad celular, ofreciendo una combinación de baja resistencia interna (Low RDS(ON)), elevada capacidad de corriente y reducidas pérdidas energéticas.

Gracias a su excelente rendimiento térmico y baja impedancia de conducción, el QM3058M es ampliamente utilizado en placas base de ordenadores portátiles, convertidores DC-DC síncronos, sistemas de alimentación de consolas, tarjetas gráficas, equipos de red y circuitos electrónicos de alto rendimiento.

Este MOSFET está especialmente indicado para reparaciones de microsoldadura y electrónica de nivel placa, ya que suele formar parte de las etapas de alimentación principales y secundarias de numerosos dispositivos electrónicos. Una avería en este componente puede provocar síntomas como equipos que no encienden, cortocircuitos en líneas de alimentación, ausencia de tensiones o fallos de carga y arranque.

Su encapsulado compacto PRPAK 5×6 mm (QFN de 8 pines) facilita su integración en placas electrónicas de alta densidad, manteniendo una excelente capacidad de disipación térmica y fiabilidad a largo plazo.

Aplicaciones Habituales

• Placas base de ordenadores portátiles
• Convertidores DC-DC Buck síncronos
• Tarjetas gráficas (GPU)
• Sistemas de alimentación de consolas
• Equipos de red y telecomunicaciones
• Circuitos de carga y gestión de energía
• Reparación electrónica y microsoldadura profesional

Problemas que Soluciona

Ideal para reparar:

• Equipos que no encienden.
• Cortocircuitos en líneas de alimentación.
• Ausencia de tensiones de salida.
• Fallos de alimentación en placas base.
• Problemas de carga y gestión de energía.
• Reinicios y apagados inesperados.
• Averías en convertidores DC-DC.

Características Técnicas

• Modelo: QM3058M / QM3058M6 / M3058M
• Tipo: MOSFET de canal N (N-Channel)
• Tensión Drain-Source (VDS): 30V
• Corriente continua (ID): Hasta 140A
• Resistencia RDS(ON): Hasta 3 mΩ @ VGS = 10V
• Tensión Gate-Source (VGS): ±20V
• Frecuencia: Optimizado para conmutación rápida
• Encapsulado: PRPAK 5×6 mm / QFN-8
• Tecnología: Trench MOSFET de alta densidad
• Temperatura de funcionamiento: -55 °C a +150 °C
• Cumplimiento: RoHS y libre de halógenos
• Estado: Nuevo
• Calidad: OEM / Compatible de alta calidad

Ventajas del Producto

✔ Baja resistencia interna para minimizar pérdidas energéticas.
✔ Alta capacidad de corriente de hasta 140A.
✔ Excelente rendimiento térmico y alta eficiencia.
✔ Diseñado para aplicaciones de conmutación rápida.
✔ Encapsulado compacto ideal para placas de alta densidad.
✔ Perfecto para reparación electrónica y microsoldadura de nivel placa.